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氧化鋁在智能手機拋光領域的運用
日期:2023-03-03    瀏覽次數:
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智能手機,作為二十一世紀最偉大的發明之一,它代表著人類科技的集大成之作,為無數人提供了各樣的便利,豐富了我們的生活。 在小編眼里,它更是一個行走的拋光工藝展覽。無數大師在拋光領域的奇思妙想在它身上體現的淋漓盡致。

氧化鋁在智能手機拋光領域的運用

拋光是指利用機械、化學或電化學的作用,使工件表面粗糙度降低,以獲得光亮、平整表面的加工方法。 一部手機,從外殼到前觸摸屏幕,從內部的芯片到外部的攝像頭,均需做拋光處理。 盡管不同部件,其拋光的具體的步驟不盡相同的,但相同點都是必須要用到研磨材料。

又稱為剛玉,莫氏硬度9,硬度很大,十分適合當研磨材料。氧化鋁粉體制備工藝成熟,通過控制氧化鋁的形貌可將其制為片狀,其平整光滑的片形表面對于被磨對象(如半導體硅晶片,智能手機外殼等等)來說不易劃傷,產品的合格品率可因此提高10%至15%。 所以,片狀氧化鋁已經成為了智能手機拋光領域的新寵。

外殼

一般的手機外殼材質有塑料材質、金屬材質、3D玻璃材料、陶瓷材料等。其中屬陶瓷與金屬材料運用較廣泛。

對于金屬外殼的拋光,將片狀氧化鋁作為主要磨料是較好的選擇

以經典的iPhone 6的金屬外殼拋光為例 :

因為iPhone6手機鋁合金外殼,是經過CNC精雕成型—研磨處理—高光—本色電鍍—遮蓋—陽極—退遮成一個完整的手機外殼面板,會留下CNC刀紋。

用白色拋光皮+氧化鋁粗拋液,就可將CNC刀紋去除干凈,使表面形成一個亞光面。

前觸摸屏幕

一般手機的外屏幕都是一層很薄的鋼化玻璃,而玻璃的的主要成分是Sio2(莫氏硬度7)。對屏幕的拋光雖也可以用氧化鋁作為磨料,但市面上更常用的為氧化鈰(CeO2)。 究其原因是氧化鈰與氧化硅會發生化學反應,在玻璃表面產生含水的硅膠層、硅酸凝膠層,使得玻璃表面軟化,從而容易被拋光。 但考慮到氧化鋁磨料是比氧化鈰磨料更硬且更便宜的存在,在一些情況下也將氧化鋁配合氧化鈰一起使用。

攝像頭

氧化鋁在智能手機拋光領域的運用

隨著光學鏡片及其光學系統技術的升級和功能的提升,傳統的研磨及拋光方法,從精度和效率方面已不適應。

常用的光學鏡片拋光法之一是浴法拋光:將工件和拋光盤都淹沒在拋光液10~15mm中,通過攪拌器運作使拋光液處于懸浮狀態,不產生沉淀。 其中一般將氧化鋁和氧化鐵作為拋光液的磨料。

下面用該法進行一次拋光實驗

超精密拋光前的熔融石英光學元件


P-V(A)

RMS(A)

Ra(A)

平均

183.42

7.42

5.70

范圍

2089.92

18.24

11.19

標準偏差

186.88

2.91

1.82


超精密拋光后的熔融石英光學元件


P-V(A)

RMS(A)

Ra(A)

平均

14.24

0.91

0.77

范圍

2.26

0.03

0.21

標準偏差

1.14

0.02

0.06

可以明顯對比得出表面粗糙度降低了。

芯片

如果將芯片看成一座大廈,晶圓就是這座大廈的地基。而這座“地基”也是需要經過一系列高精密拋光的。

氧化鋁在智能手機拋光領域的運用

為什么常將氧化鋁作為拋光晶圓時的磨料呢?

一方面因為可將氧化鋁粉制為平板狀,研磨時顆粒貼合工件表面,產生滑動的研磨效果,研磨壓力均勻分布在顆粒表面,顆粒不易破碎,從而提高了研磨效率和表面光潔度,對于半導體材料如晶圓,片狀氧化鋁粉的應用,可以減少磨削時間,大幅提高研磨效率,減少磨片機的損耗,節省人工和磨削成本,將成品率提升在90%以上。

另一方面當被拋光對象是碳化硅晶圓(莫氏硬度9.2)時,就不能使用硅溶膠拋光液或者較為柔軟的氧化鈰拋光液。 此時使用氧化鋁拋光液是一個較為理想的選擇:因為氧化鋁經過特殊的制備法可將硬度提高到9.2以上,在此基礎上還能將粒徑控制在100nm-150nm范圍內,使得碳化硅晶圓得以拋光至埃級的平整度。

片狀氧化鋁的制備方法

片狀α-Al2O3常見的制備方法有水熱法、高溫固相法、涂膜法和熔鹽法等[1-4]。 其中,熔鹽法主要是以硫酸鋁、硫酸鋁鉀、氫氧化鋁等鋁鹽作為鋁源,以硫酸鈉、硫酸鉀、氯化鈉和氯化鉀等一種或幾種熔鹽為反應介質,通過高溫煅燒來制備片狀 α-Al2O3,一些制備方法中還添加了磷酸鹽、二氧化硅或二氧化鈦等添加劑[5-6],以加快反應速率或獲得更好的形貌。熔鹽法具有反應周期短、晶體形貌可控、工藝簡單等優點,但是目前采用熔鹽法制備片狀α-Al2O3 的煅燒溫度一般為 1200 ℃,保溫時間為 3~5 h,制備條件相對苛刻,制備工藝需要進一步優化。

下面介紹一種優化后實驗室中的片狀氧化鋁制備法

分別稱取 4.5 g 氯化鈉和氯化鉀、2 g 氫氧化鋁和一定量的氟化鋁于研缽中,研磨混合均勻。然后,將樣品放入鼓風干燥箱,于 120 ℃干燥 3 h,結束后取出樣品并轉移至氧化鋁坩堝,隨后放入箱式電阻爐中,以升溫速率為 9 ℃/min 升至設置溫度(700~1000 ℃)后保溫一段時間(30~180 min)。待樣品冷卻至室溫,取出坩堝,將坩堝內的樣品轉移至燒杯中, 向燒杯中加入水,放入超聲波清洗機進行超聲分散溶解,待完全溶解,靜置 6~8 h 后去除上清液,如此反復 3 次。最后,將獲得樣品放入鼓風干燥箱進行干燥,干燥完成即得到片狀α-Al2O3 樣品。

多次實驗結果表明,當氟化鋁與氫氧化鋁的質量百分比為 5%、保溫時間為 180 min、煅燒溫度在 750 ℃及以上時,制備出徑向尺寸約為 5.1 μm、厚度約為 280 nm、徑厚比約為 18 的多邊形片狀 α-Al2O3。 此反應體系中,氟化鋁的存在加速了反應的進行,在保溫時間為 180 min 的條件下,使得片狀 α-Al2O3 的煅燒溫度由 1200 ℃降低至 750 ℃,優化了熔鹽法制備片狀氧化鋁的工藝,極大地降低了能耗,為片狀 α-Al2O3 的低碳綠色制備提供了一條新的途徑。[7]


參考文獻

[1] 楊嵐婷,王兆文,楊酉堅,等.以粉煤灰為原料制備用于導熱填料的板片狀氧化鋁[J].輕

金屬,2022(2):1-4,13. YANG Lanting,WANG Zhaowen,YANG Youjian,et al.Preparation of plate-like alumina used as thermal conductive filler from fly ash[J].Light Metals,2022(2):1-4,13.

[2] 孫敬會,卿培林.高溫固相法制備片狀氧化鋁[J].中國陶瓷,2021,57(12):34-38,

52. SUN Jinghui,QING Peilin.Preparation of flake aluminum oxide powder by high temperature

solid phase method[J].China Ceramics,2021,57(12):34-38,52.

[3] 孫敬會,伊家飛,徐敬堯,等.基于薄膜技術制備超細片狀氧化鋁的研究[J].真空科

學與技術學報,2018,38(12):1080-1087. SUN Jinghui,YI Jiafei,XU Jingyao,et al.Preparation of ultrafine lamellate alumina powder

via chemical route[J].Chinese Journal of Vacuum Science and Technology,2018,38(12):

1080-1087.

[4] ZHANG Qianying,GENG Xun.Preparation of flaky alumina powder by molten salt synthesis

method[J].Advanced Materials Research,2014,997:428-432.

[5] 張鶴,邵國強,史和邦,等.片狀氧化鋁的熔鹽法制備關鍵參數[J].化工進展,2021,

40(8):4187-4195. ZHANG He,SHAO Guoqiang,SHI Hebang,et al.Key parameters of preparing flake alumina by molten salt method[J].Chemical Industry and Engineering Progress,2021,40(8):4187-4195.

[6] MIAO Zhuang,SHI Jiangong,ZHANG Wenping,et al.Effect of NH4F and nano-SiO2 on

morphological control of α-Al2O3 platelets via solid-state reaction[J].China Petroleum

Processing & Petrochemical Technology,2016,18(4):19-24.

[7]徐敬堯,周小麗,孫敬會,曹阿林,卿培林.基于復合熔鹽低溫制備片狀α-氧化鋁的研究[J/OL].無機鹽工業:1-9[2023-01-13].DOI:10.19964/j.issn.1006-4990.2022-0233.

 

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